太阳能电池、太阳能电池的制造系统及太阳能电池的制造方法
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摘要
本发明的目的在于廉价地提供高转换效率的太阳能电池。本发明的太阳能电池具备保护半导体基板(101)的钝化膜、在半导体基板的主面与半导体基板连接的第一副栅线电极(201)、与第一副栅线电极(201)交叉的第一主栅线电极(202)、和设置于第一副栅线电极(201)与第一主栅线电极(202)的交叉位置的中间层(203)，第一副栅线电极(201)和第一主栅线电极(202)经由中间层(203)相互电导通。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池、太阳能电池的制造系统及太阳能电池的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109392312A
申请号 ：
CN201780032752.8
公开（公告）日 ：
2019-02-26
申请日 ：
2017-04-04
授权号 ：
CN109392312B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
三田怜渡部武纪大塚宽之
申请人 ：
信越化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都千代田区大手町二丁目6番1号
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
龚敏
优先权 ：
CN201780032752.8
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/068 H01L31/18
相关图片
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0224
申请日 : 20170404
申请日 : 20170404
2019-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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