制造太阳能电池阵列的方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种蚀刻硅材料的方法，它包括：a)提供所述硅材料；b)用覆盖了自然氧化物的铝掩蔽所述材料的一部分，使其不被蚀刻；c)用对于所述氧化物相对呈惰性的蚀刻剂蚀刻所述材料。所述蚀刻剂由氧化氢、硝酸和冰醋酸组成。
基本信息
专利标题 ：
制造太阳能电池阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1041244A
申请号 ：
CN89108107.0
公开（公告）日 ：
1990-04-11
申请日 ：
1986-02-15
授权号 ：
CN1012778B
授权日 ：
1991-06-05
发明人 ：
朱尔斯·D·利维米勒德·J·詹姆罗纳德·E·汉尔戴维·E·瓦特
申请人 ：
得克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
周佩中
优先权 ：
CN89108107.0
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/308
法律状态
2001-10-03 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1992-01-08 ：
授权
1991-06-05 ：
审定
1990-04-11 ：
公开
1990-03-21 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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