太阳能电池及其制造方法
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摘要
太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板，其包括不平坦部分，该不平坦部分位于半导体基板的前表面或后表面中的至少一个上；钝化层，其被设置在不平坦部分上；以及氧化物层，其被设置在钝化层与半导体基板的不平坦部分之间，该氧化物层包括非晶氧化物。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108963013A
申请号 ：
CN201810478544.7
公开（公告）日 ：
2018-12-07
申请日 ：
2018-05-18
授权号 ：
CN108963013B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
李京洙黄圣贤朴相昱
申请人 ：
LG电子株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN201810478544.7
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/18
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0236
申请日 : 20180518
申请日 : 20180518
2018-12-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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