太阳能电池及其制造方法

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摘要

本发明的实施例提供一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：晶体硅衬底；第一介电层，位于所述晶体硅衬底的表面上且包含氧化铝；第二介电层，位于所述第一介电层的表面上；第三介电层，位于所述第二介电层的表面上，其中所述第一介电层和所述第二介电层的材料不同，所述第二介电层中嵌入氢，所述第三介电层包含禁带宽度大于3.5电子伏特的金属氧化物或宽禁带薄膜。该太阳能电池可以兼顾钝化效果以及能量转换效率，且具有减小的钝化材料厚度。

基本信息

专利标题：

太阳能电池及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113889539A

申请号：

CN202111479725.X

公开（公告）日：

2022-01-04

申请日：

2021-12-07

授权号：

CN113889539B

授权日：

2022-04-12

发明人：

蒋秀林闫小刚王金良赵荣

申请人：

北京晶澳太阳能光伏科技有限公司

申请人地址：

北京市丰台区汽车博物馆东路1号院4号楼南座701室

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

赵国荣

优先权：

CN202111479725.X

主分类号：

H01L31/0216

IPC分类号：

H01L31/0216 H01L31/068 H01L31/18