利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及层序列

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种用于利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及一种层序列。根据本发明，在pin薄层太阳能电池或nip薄层太阳能电池中，在涂敷微晶i层之前，利用HWCVD方法将微晶硅层涂敷到下面的p层或n层上。因此，薄层太阳能电池的效率绝对地被提高了直至0.8％。

基本信息

专利标题：

利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及层序列

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101088171A

申请号：

CN200580044170.9

公开（公告）日：

2007-12-12

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

S·克莱因Y·麦F·芬格R·卡里厄斯

申请人：

于利奇研究中心有限公司

申请人地址：

德国于利奇

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘春元

优先权：

CN200580044170.9

主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/18 H01L31/075

法律状态

2017-02-01 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101700608957
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL2005800441709
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20130320
终止日期 : 20151213

2013-03-20 ：

授权

2010-08-11 ：

发明专利申请公布后的驳回

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003964022
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利申请号 : 2005800441709
公开日 : 20071212

2008-02-13 ：

实质审查的生效

2007-12-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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