薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备
实质审查的生效
摘要

本申请公开了一种薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备,该薄层电容结构在上部电极和下部电极之间配置多层电介质膜的电介质层,多层电介质膜中任意相邻两层电介质膜的形成材料不相同,且每层电介质膜是根据该电介质膜具有的消光系数和折射率计算得到的膜厚沉积得到,以使得任意相邻两层电介质膜表面的反射光线相互抵消。对于每层电介质膜的膜厚由该电介质膜的固有属性消光系数和折射率计算得到,而不是每层电介质膜均采用相同膜厚沉积。对于根据消光系数和折射率决定的膜厚形成相应的电介质膜,可使得光线在每层电介质膜表面产生的反射光线相互抵消,由此可将多层电介质膜的反射光线累积降为最低,减小光刻对准失败的几率。

基本信息
专利标题 :
薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388479A
申请号 :
CN202011140791.X
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2020-10-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
梁时元崔栽荣贺晓彬李亭亭杨涛刘金彪
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
刘广达
优先权 :
CN202011140791.X
主分类号 :
H01L23/64
IPC分类号 :
H01L23/64  H01L21/62  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的,用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20201022
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332