半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822360A
申请号 ：
CN200510125088.0
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
栗原和明盐贺健司约翰·D·巴尼基
申请人 ：
富士通株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑小军
优先权 ：
CN200510125088.0
主分类号 ：
H01L23/50
IPC分类号 ：
H01L23/50 H01L23/12 H01L25/04 H01L21/60 H05K1/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/50
用于集成电路器件的
法律状态
2013-01-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101381917723
IPC(主分类) : H01L 23/50
专利号 : ZL2005101250880
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20081001
终止日期 : 20111118
号牌文件序号 : 101381917723
IPC(主分类) : H01L 23/50
专利号 : ZL2005101250880
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20081001
终止日期 : 20111118
2008-10-01 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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