制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了一种形成半导体器件的电容器的方法。在该方法中，电容器下电极淀积在半导体衬底上，且然后介电层淀积在该下电极上。介电阻挡层淀积在该介电层上部。该介电阻挡层包括用于防止介电层的漏电流特性降低的材料。该方法还包括在介电阻挡层上部淀积电容器上电极。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819155A
申请号 ：
CN200510136890.X
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金京民金东俊李光云
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510136890.X
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/822 H01L21/02 H01L21/00 H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/04
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
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H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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