半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101271890A

申请号：

CN200810091832.3

公开（公告）日：

2008-09-24

申请日：

2005-11-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

栗原和明盐贺健司约翰·D·巴尼基

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺

优先权：

CN200810091832.3

主分类号：

H01L27/00

IPC分类号：

H01L27/00 H01L27/04 H01L23/482 H01L21/82 H01L21/822 H01L21/60