本发明提供了一种电容器阵列结构的制造方法、电容器阵列结构与半导体存储器件，该制造方法包括：提供一基底；在所述基底上形成电容结构，包括在所述基底上形成下电极层，和在所述下电极层表面形成电容介质层，以及在所述电容介质层表面的形成上电极层，其中，所述上电极层之间具有间隙；形成填充层填充所述间隙；形成覆盖层覆盖所述填充层与所述上电极；其中，所述覆盖层与所填充层结合形成上电极导电层；所述填充层和所述覆盖层的材质包括掺杂多晶硅，且所述覆盖层中的掺杂的锗原子体积浓度大于所述填充层中掺杂的锗原子体积浓度。本公开通过的电容器阵列结构的制造方法，能够减少上电极导电层中的狭缝。