使用无定形碳制造半导体存储器件的电容器的方法
专利权的终止
摘要
提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在基片上形成层间绝缘层；形成穿透到层间绝缘层中的存储节点接触塞；形成通过在层间绝缘层上堆叠第一保护阻挡层和牺牲层所形成的堆叠结构；以具有使存储节点接触塞的上部开放的沟槽的方式来对第一保护阻挡层和牺牲层执行蚀刻工艺；在沟槽内部形成具有柱型的存储节点；形成填充具有柱型的存储节点的内部的第二保护阻挡层；通过执行湿汲出工艺来移除牺牲层；移除第一保护阻挡层和第二保护阻挡层；以及在存储节点上依次形成电介质层和板节点。
基本信息
专利标题 ：
使用无定形碳制造半导体存储器件的电容器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819156A
申请号 ：
CN200510137500.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔根圭郑载昌
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510137500.0
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/8229 H01L21/02 H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599304514
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005101375000
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20080611
终止日期 : 20131226
号牌文件序号 : 101599304514
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005101375000
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20080611
终止日期 : 20131226
2008-06-11 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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