半导体存储器、电容器阵列结构及其制造方法

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摘要

本公开是关于一种半导体存储器、电容器阵列结构及其制造方法，该制造方法包括：在间隔层远离半导体衬底的一侧上形成第一介质层；形成贯穿第一介质层与间隔层的多个电容孔，且多个电容孔与多个焊盘位置一一对应；形成随形覆盖电容孔的第一电容介质层，且第一电容介质层露出各焊盘；在半导体衬底设有第一电容介质层的一侧形成随形覆盖第一电容介质层及焊盘的导电层；在导电层远离半导体衬底的一侧形成随形覆盖的第二电容介质层，且第二电容介质层与第一电容介质层远离衬底的一端连接；在半导体衬底设有第二电容介质层的一侧形成覆盖第二电容介质层及第一介质层的第二介质层；在第二介质层远离半导体衬底的一侧形成电极层。

基本信息

专利标题：

半导体存储器、电容器阵列结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112908967A

申请号：

CN201911132451.X

公开（公告）日：

2021-06-04

申请日：

2019-11-19

授权号：

CN112908967B

授权日：

2022-05-17

发明人：

刘忠明白世杰

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

王辉

优先权：

CN201911132451.X

主分类号：

H01L23/64

IPC分类号：

H01L23/64 H01L27/108