制造半导体陶瓷电容器的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种以钛酸锶为基料的半导体陶瓷电容器的制造方法，该方法包括：往半导体陶瓷表面涂上第一导电浆料，并烘焙之，以在所述半导体陶瓷体上形成第一导电层。所述第一导电浆料主要选自锌粉和铝粉组成的料组金属粉。此后，在所述第一导电层表面涂上第二导电浆料，并烘焙之，以在所述第一导电层上形成第二导电层。所述第二导电浆料的主要成分为铜。这种电容器电极高度可靠，价格不贵，可钎焊性的抗拉强度优异，且无金属迁移现象。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体陶瓷电容器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1046635A
申请号 ：
CN90103957.8
公开（公告）日 ：
1990-10-31
申请日 ：
1987-07-28
授权号 ：
CN1014661B
授权日 ：
1991-11-06
发明人 ：
小野秀一板垣秋一矢作正博古川喜代志藤原忍及川泰伸
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN90103957.8
主分类号 ：
H01G4/12
IPC分类号 ：
H01G4/12 H01G1/005
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2000-09-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-08-05 ：
授权
1991-11-06 ：
审定
1990-10-31 ：
公开
1990-10-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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