半导体元件制造方法及电容器的制造方法
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摘要
本发明提供一种半导体元件制造方法及电容器的制造方法，具体涉及一种使用激光瞬间退火制造半导体元件的方法，包括提供一具有一表面的半导体基底，形成一栅极介电层于半导体基底的表面上，对栅极介电层进行一激光退火制程，在激光瞬间退火制程之后，图形化栅极介电层且至少形成一栅极介电结构。之后，形成一源极和漏极区以形成一晶体管，并通过连接源极和漏极区以形成一电容器。本发明所述半导体元件制造方法及电容器的制造方法，在较少的聚集性、扩散性和热预算成本下，对栅极介电层或电容器介电层进行退火，以得到较佳的电性。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件制造方法及电容器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1873921A
申请号 ：
CN200610003147.1
公开（公告）日 ：
2006-12-06
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚亮吉杨铭和陈世昌梁孟松
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610003147.1
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/336 H01L21/31 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2009-04-22 ：
授权
2007-01-31 ：
实质审查的生效
2006-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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2、
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