用于半导体元件的电容器及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧化铝膜上，且具有高于氮氧化铝膜的介电常数的氮氧化钇膜；及形成在氮氧化钇膜上的上电极。根据本发明，即使当半导体元件的集成度增加时，电容器的表面积会减少，但是藉由使用低漏电流特性的AlON膜和高电容特性的YON膜的双层膜，当作电容器的电介质膜，也可以得到具有高电容和低漏电流特性的电容器。

基本信息

专利标题：

用于半导体元件的电容器及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1794456A

申请号：

CN200510118089.2

公开（公告）日：

2006-06-28

申请日：

2005-10-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

吴平源金愚镇吴勋静尹孝根尹孝燮催佰一

申请人：

海力士半导体有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510118089.2

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L29/92 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/314 H01L21/02 H01L21/00