电容器以及包括该电容器的半导体装置
公开
摘要
本公开提供了电容器以及包括该电容器的半导体装置。一种电容器包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层可以包括：基底材料，其包括基底金属的氧化物，该基底材料具有约2至约70的介电常数；和共掺杂剂，包括3族元素和5族元素。3族元素可以包括Sc、Y、B、Al、Ga、In和/或Tl，5族元素可以包括V、Nb、Ta、N、P、As、Sb和/或Bi。
基本信息
专利标题 ：
电容器以及包括该电容器的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566592A
申请号 ：
CN202111375817.3
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李载昊赵龙僖张胜愚朴影根李周浩
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王新华
优先权 ：
CN202111375817.3
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/108 H01G4/12 H01G4/30
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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