半导体装置或包括该半导体装置的显示装置
授权
摘要
本发明提供一种新颖的半导体装置的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体装置的方法。该方法包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在沉积室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序。沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成。第二氧化物半导体膜以该第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高的方式形成。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置或包括该半导体装置的显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109075209A
申请号 ：
CN201780027953.9
公开（公告）日 ：
2018-12-21
申请日 ：
2017-05-10
授权号 ：
CN109075209B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
山崎舜平黑崎大辅中泽安孝冈崎健一
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
贾成功
优先权 ：
CN201780027953.9
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 C23C14/08 G02F1/1368 H01L21/336 H01L21/363 H01L21/477 H01L51/50 H05B33/14
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20170510
申请日 : 20170510
2018-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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