半导体芯片和包括半导体芯片的半导体装置
公开
摘要
公开了一种半导体芯片和一种半导体装置。该半导体芯片包括衬底、设置在衬底上的源极结构和设置在源极结构上的支承图案。源极结构和支承图案中的每一个包括多晶硅。半导体芯片还包括设置在支承图案上的电极结构和竖直延伸穿过电极结构的多个竖直结构。电极结构包括：下电极结构，其设置在支承图案上，并且包括多个下栅电极和多个第一绝缘膜；第二绝缘膜，其设置在下电极结构上；以及上电极结构，其设置在第二绝缘膜上，并且包括多个上栅电极和多个第三绝缘膜。竖直结构在源极结构上方接触源极结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片和包括半导体芯片的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388522A
申请号 ：
CN202110973539.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金江旻宋承砇殷东锡郑锡和
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202110973539.5
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11578
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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