包括贯通电极的半导体芯片以及包括其的半导体封装
实质审查的生效
摘要
本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片以及包括其的半导体封装。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘层上并且同时与该一对贯通电极连接，其中，该一对贯通电极之间的距离大于绝缘层的厚度的两倍。
基本信息
专利标题 ：
包括贯通电极的半导体芯片以及包括其的半导体封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551386A
申请号 ：
CN202110692578.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-06-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙晧荣金成圭李美仙
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110692578.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L25/065 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20210622
申请日 : 20210622
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
