半导体芯片封装结构

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摘要

本实用新型提供一种半导体芯片封装结构。封装结构包括半导体芯片、导电柱、环氧树脂层、第一聚合树脂层、金属布线层、第二聚合树脂层、凸块下金属层、焊球及保护膜；导电柱位于半导体芯片的上表面；环氧树脂层将半导体芯片及导电柱塑封且覆盖半导体芯片的侧壁，导电柱暴露于环氧树脂层的上表面；第一聚合树脂层位于环氧树脂层的上表面；金属布线层位于导电柱的上表面；第二聚合树脂层位于金属布线层的侧壁及上表面；凸块下金属层位于金属布线层的凹槽内且延伸到第二聚合树脂层的上表面；焊球位于凸块下金属层的上表面；保护膜位于半导体芯片和环氧树脂层的下表面。相较于现有技术，本实用新型有助于减小器件尺寸、降低功耗及提高生产良率。

基本信息

专利标题：

半导体芯片封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922418284.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-30

授权号：

CN211088246U

授权日：

2020-07-24

发明人：

徐罕陈彦亨吴政达林正忠高建章

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

余明伟

优先权：

CN201922418284.7

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/29 H01L23/498 H01L21/48 H01L21/56