一种半导体封装结构以及半导体多层芯片封装结构

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摘要

本实用新型提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：待封芯片，所述待封芯片包括衬底及位于衬底之上的金属化层，其中，所述待封芯片上表面带有对位标记；塑封层，形成于所述待封芯片上表面，所述塑封层包括位于所述待封芯片上表面，与所述金属化层电性连接的金属柱、位于所述对位标记外围的半密封空腔以及包覆所述金属柱及半密封空腔的塑封料层；重新布线层，位于所述塑封层上表面，所述重新布线层包括电介质层和位于电介质层之上的金属线层。通过引入可以保护对位标记不被污染的半密封空腔，能够在塑封后，不用其他额外工艺，就可以直接暴露出对位标记，对于后续制程提供精确的定位。

基本信息

专利标题：

一种半导体封装结构以及半导体多层芯片封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920667688.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-10

授权号：

CN209880544U

授权日：

2019-12-31

发明人：

吕娇陈彦亨吴政达林正忠

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

余明伟

优先权：

CN201920667688.7

主分类号：

H01L21/56

IPC分类号：

H01L21/56 H01L23/31 H01L23/498