半导体芯片、半导体封装结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种半导体芯片、半导体封装结构及其制作方法。本发明通过将图形化功能层朝向引线框架、且多个导电柱分别与多个引脚对应电连接,可以实现封装小型化,提高封装稳定性及可靠性,有利于大电流工作时产品散热;通过在图形化功能层上涂布绝缘胶层,使得所形成的封装产品中引线框架和半导体芯片之间的该层绝缘胶层可以起到隔离作用,能够隔绝封装体外界潮气和缓解封装体内部对图形化功能层的表面应力,提高产品隔离耐压能力。

基本信息
专利标题 :
半导体芯片、半导体封装结构及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497356A
申请号 :
CN202210077231.7
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王雄星
申请人 :
江苏兴宙微电子有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市惠山经济开发区堰新路311号3号楼0301、0302室
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
赵娟娟
优先权 :
CN202210077231.7
主分类号 :
H01L43/06
IPC分类号 :
H01L43/06  H01L43/04  H01L43/14  
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/06
申请日 : 20220124
2022-05-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 43/06
登记生效日 : 20220509
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 江苏兴宙微电子有限公司
变更后权利人 : 上海兴感半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 214174 江苏省无锡市惠山经济开发区堰新路311号3号楼0301、0302室
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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