半导体封装结构及其制作方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体封装结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供导线架，包括第一引脚群与第二引脚群。设置载体于第一引脚群的一侧，其中第一引脚群包括多个第一引脚，且载体覆盖任二相邻的第一引脚之间的间隙。形成两阶段热固性胶层于第一引脚群的另一侧，两阶段热固性胶层进一步填入任二相邻的第一引脚之间的间隙。使第一芯片贴合于两阶段热固性胶层，且第一芯片与载体分别位于第一引脚群的相对两侧。采用打线接合的方式使第一芯片电性连接第一引脚群与第二引脚群。形成封装胶体，以包覆导线架、两阶段热固性胶层及第一芯片。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111276407A
申请号 ：
CN201910222534.1
公开（公告）日 ：
2020-06-12
申请日 ：
2019-03-22
授权号 ：
CN111276407B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
石智仁
申请人 ：
南茂科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗英
优先权 ：
CN201910222534.1
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-07-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20190322
申请日 : 20190322
2020-06-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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