半导体封装方法及半导体封装结构

实质审查的生效

摘要

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。所述半导体封装方法包括：形成包封结构，包封结构包括包封层及第一裸片，包封层上设有内凹的腔体，第一裸片位于腔体内，第一裸片的正面设有焊垫；在第一裸片的正面形成第一导电结构，第一导电结构包括与第一裸片的焊垫电连接的第一再布线层以及第一导电凸柱；将第二裸片贴装在第一再布线层背离第一裸片的一侧，所述第二裸片的正面背离所述第一再布线层；形成第二导电结构，第二导电结构将第一导电凸柱与第二裸片的焊垫电连接；在包封层上形成通孔；形成第三导电结构，第三导电结构通过位于通孔中的第一导电部与第一导电结构电连接；在第三导电结构背离包封层的一侧设置被动件。

基本信息

专利标题：

半导体封装方法及半导体封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114446796A

申请号：

CN202011218428.5

公开（公告）日：

2022-05-06

申请日：

2020-11-04

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

周辉星

申请人：

矽磐微电子（重庆）有限公司

申请人地址：

重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司

代理人：

张玲玲

优先权：

CN202011218428.5

主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L21/48 H01L21/60 H01L23/498

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/48

应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器

法律状态

2022-05-24 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20201104

2022-05-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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