半导体封装结构
专利申请权、专利权的转移
摘要

本申请公开一种半导体封装结构,包括:封装体,设置有多个外接引脚用于与外部电气连接;封装框架,设置于所述封装体上,包括封装于所述封装体内的第一表面以及外露于所述封装体的第二表面;绝缘层,粘接在所述封装框架的第一表面上,包括至少两个引线键合部,所述引线键合部通过键合引线与所述外接引脚电气连接;电子元件,贴装在所述绝缘层上,其输入端及输出端分别通过导电介质与所述绝缘层的引线键合部电气连接。本申请以在现有封装形式基础上实现多目标封装,并且在引线键合部分优化打线的可靠性和效率,使得打线效果良好,提高产品的良率和可靠性,适用于半导体封装的批量制造。

基本信息
专利标题 :
半导体封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920866926.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-06
授权号 :
CN209896028U
授权日 :
2020-01-03
发明人 :
殷忠许庆详邱高刘准
申请人 :
深圳市芯茂微电子有限公司上海携英微电子分公司
申请人地址 :
上海市闵行区东川路555号丁楼7001室
代理机构 :
上海巅石知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
高磊
优先权 :
CN201920866926.7
主分类号 :
H01L21/48
IPC分类号 :
H01L21/48  H01L21/56  H01L23/495  H01L25/16  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法,在器件组装之前制造或处理部件,例如容器
法律状态
2021-06-08 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/48
登记生效日 : 20210526
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 深圳市芯茂微电子有限公司上海携英微电子分公司
变更后权利人 : 湖南省矽茂半导体有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201100 上海市闵行区东川路555号丁楼7001室
变更后权利人 : 421001 湖南省衡阳市高新区芙蓉路58号愉景南苑项目11栋写字楼
2020-01-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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