半导体封装结构及封装体
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体封装结构及封装体，所述半导体封装结构包括衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面，在所述第一表面具有多个凹槽，在所述凹槽底部具有多个导电柱，所述导电柱贯穿所述凹槽底部至所述第二表面；多个半导体裸片堆叠体，放置在所述凹槽内，且所述半导体裸片堆叠体的上表面低于或者平齐于所述凹槽的上边缘，所述半导体裸片堆叠体的底部与所述导电柱电连接；绝缘介质层，覆盖所述半导体裸片堆叠体上表面，且所述绝缘介质层填充所述凹槽的侧壁与所述半导体裸片堆叠体之间的间隙的上部，以密封所述半导体裸片堆叠体。本实用新型的优点在于，形成的半导体封装结构封装高度低、稳固性高、可靠性高及翘曲度低。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构及封装体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921740771.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-16
授权号 ：
CN210272258U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
刘杰应战
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921740771.9
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52 H01L21/60 H01L21/48 H01L23/538
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN210272258U.PDF
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