半导体封装方法及半导体封装结构
公开
摘要
本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。本申请中，半导体封装方法包括：在待封装裸片的焊盘上植放锡球，得到已植球裸片，将软性膜层贴附在载板上，得到软性膜组件，将已植球裸片贴到软性膜组件上，锡球的第一部分嵌入软性膜层中，锡球的第二部分未嵌入软性膜层中，锡球的第二部分与焊盘接触，待封装裸片的正面与软性膜层远离载板的表面之间存在空隙，在已植球裸片上形成塑封层，塑封层包裹住待封装裸片以及锡球的第二部分，对塑封层靠近待封装裸片的背面的表面进行研磨，以使表面平整，去除软性膜组件，得到半导体封装结构，锡球的第一部分露出塑封层靠近待封装裸片的正面的表面。本申请实施例可减少一次研磨的工艺步骤，减少生产成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装方法及半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582734A
申请号 ：
CN202011373539.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍炎涂旭峰
申请人 ：
矽磐微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
武娜
优先权 ：
CN202011373539.3
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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