半导体封装结构
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摘要
一种半导体封装结构，包括：半导体芯片，所述半导体芯片中具有静电保护电路，所述半导体芯片上具有若干正常焊盘和伪焊盘，所述伪焊盘与静电保护电路连接；塑封所述半导体芯片的塑封层，所述塑封层中封装有若干正常引脚和若干虚置引脚，所述正常引脚与所述正常焊盘连接，所述虚置引脚与所述伪焊盘连接。当对半导体芯片进行引脚阵列封装时，通过设置伪焊盘和第一互连结构，使得伪焊盘可以与静电保护电路(静电保护器件)连接，当虚置引脚与所述伪焊盘连接时，虚置引脚上积累的静电通过伪焊盘传输到静电保护电路释放，从而防止虚置引脚静电集聚带来的对半导体芯片(DRAM)的静电损害。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113097182A
申请号 ：
CN202010017505.4
公开（公告）日 ：
2021-07-09
申请日 ：
2020-01-08
授权号 ：
CN113097182B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202010017505.4
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L23/31 H01L27/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/60
申请日 : 20200108
申请日 : 20200108
2021-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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