半导体芯片的封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体芯片的封装结构，包括：位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条和3个在竖直方向上叠置且串联的开关二极管芯片，位于中间的开关二极管芯片的正极和负极分别与位于上方的开关二极管芯片的负极和位于下方的开关二极管芯片的正极电连接；第一引线条的引脚端位于环氧封装体的底部的第一缺口槽内，第二引线条的引脚端位于环氧封装体的底部的第二缺口槽；所述第一引线条、第二引线条各自的引脚区与环氧封装体相背的表面间隔设置有若干个凹坑点。本实用新型半导体芯片的封装结构降低了整流器件与外界电路连接的接触电阻，从而改善了整流器件电性能和提高了封装结构的整体强度。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122432889.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
CN216413066U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
钱淼李飞帆邱显羣
申请人 ：
苏州锝耀电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区黄埭镇东桥胡桥村
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202122432889.9
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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