半导体芯片封装结构

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摘要

本实用新型提供一种半导体芯片封装结构，包括半导体芯片、导电柱、环氧树脂层、聚合树脂层、凸块下金属层、焊球及保护膜；导电柱位于半导体芯片的上表面；环氧树脂层将半导体芯片及导电柱塑封且覆盖半导体芯片的侧壁，环氧树脂层的下表面和半导体芯片的下表面相平齐，导电柱暴露于环氧树脂层的上表面；聚合树脂层位于环氧树脂层的上表面，聚合树脂层内具有开口，开口暴露出导电柱；凸块下金属层位于导电柱的上表面且延伸到聚合树脂层的上表面；焊球位于凸块下金属层的上表面，且焊球的上表面高于聚合树脂层的上表面；保护膜位于半导体芯片和环氧树脂层的下表面。本实用新型有助于减少器件尺寸、降低器件功耗及延长器件使用寿命。

基本信息

专利标题：

半导体芯片封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922429738.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-30

授权号：

CN211088247U

授权日：

2020-07-24

发明人：

徐罕陈彦亨吴政达林正忠高建章

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

余明伟

优先权：

CN201922429738.0

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/29 H01L23/498 H01L21/48 H01L21/56