非易失性存储器芯片和包括其的半导体封装
公开
摘要
一种非易失性存储器芯片，包括：单元区域，该单元区域包括第一表面、与第一表面相对的第二表面、第一单元结构以及与第一单元结构间隔开的第二单元结构；在单元区域的第一表面上的外围电路区域，外围电路区域包括连接到第一单元结构的第一外围电路、连接到第二单元结构的第二外围电路以及在第一外围电路和第二外围电路之间的连接电路；通孔，该通孔在第一单元结构和第二单元结构之间并从单元区域的第二表面延伸到外围电路区域的连接电路；重分布层，该重分布层覆盖单元区域的第二表面上的通孔、连接到通孔并沿着第二表面延伸；和芯片焊盘，该芯片焊盘连接到重分布层。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器芯片和包括其的半导体封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551397A
申请号 ：
CN202111346238.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李民宰卞辰瑫孙永训崔荣暾郭判硕李明勋崔桢焕
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邵亚丽
优先权 ：
CN202111346238.6
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L27/115
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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