非易失性磁性随机存储结构及非易失性磁性随机存储器
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种非易失性磁性随机存储结构及非易失性磁性随机存储器,其中,存储结构包括至少一个存储单元,存储单元包括第一存储体、第二存储体和开关晶体管;第一存储体和第二存储体的磁化状态相反。第一存储体的第一端和第二存储体的第一端分别与开关晶体管的漏极连接。第一存储体的第二端与第一位线连接,第二存储体的第二端与第二位线连接,且分别连接至读取电路。开关晶体管的栅极与字线连接,开关晶体管的源极与源线连接,且源线连接有第一电压产生器。本方案将两个磁化状态相反的存储体并联,利用存储体面积占比小的特点,一个存储体作为判断单元时,另一个作为参考单元,由此避免了单一参考电流易受漂移电流的影响,提高判断的灵敏度。

基本信息
专利标题 :
非易失性磁性随机存储结构及非易失性磁性随机存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114333936A
申请号 :
CN202011062641.1
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王韬汪腾野罗睿明
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
代理机构 :
上海德禾翰通律师事务所
代理人 :
侯莉
优先权 :
CN202011062641.1
主分类号 :
G11C11/16
IPC分类号 :
G11C11/16  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/16
申请日 : 20200930
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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