非易失性存储器件和非易失性存储系统
公开
摘要

提供了一种非易失性存储器件和一种非易失性存储系统。所述非易失性存储器件包括上绝缘层。第一基板位于所述上绝缘层上。上层间绝缘层位于所述第一基板上。多条字线在第一方向上堆叠在所述第一基板上,并延伸穿过所述上层间绝缘层的一部分。下层间绝缘层位于所述上层间绝缘层上。第二基板位于所述下层间绝缘层上。下绝缘层位于所述第二基板上。虚设图案由填充材料构成。所述虚设图案设置在形成于所述第一基板和所述第二基板中的至少一者中的沟槽中。所述沟槽形成在所述上绝缘层与所述第一基板相接的表面和所述下绝缘层与所述第二基板相接的表面中的至少一者上。

基本信息
专利标题 :
非易失性存储器件和非易失性存储系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388031A
申请号 :
CN202111082481.1
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-09-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
黄盛珉金智源安在昊任峻成成锡江
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市立方律师事务所
代理人 :
李娜
优先权 :
CN202111082481.1
主分类号 :
G11C16/04
IPC分类号 :
G11C16/04  G11C16/24  G11C8/14  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
法律状态
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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