非易失性存储器件、非易失性存储系统及其制造方法
公开
摘要
一种非易失性存储器件，包括：沿第一方向依次堆叠的第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层；下金属层，设置在所述第一下层间绝缘层中；以及多个下结合金属，设置在所述第一下层间绝缘层和所述第二下层间绝缘层中并且沿与所述第一方向相交的第二方向彼此间隔开。所述下金属层的在所述第一方向上的最上方表面低于所述多个下结合金属的在所述第一方向上的最上方表面，并且所述下金属层置于所述多个下结合金属之间。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器件、非易失性存储系统及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334996A
申请号 ：
CN202111029282.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金森宏治赵相渊韩智勋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN202111029282.4
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/11582
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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