非易失存储器及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种非易失存储器，包括基底、一层导体层、一层电荷储存层、多个第一掺杂区及多个第二掺杂区。其中，基底中具有多个沟渠，导体层设置于基底上，并填满沟渠。电荷储存层设置于导体层与基底之间。多个第一掺杂区分别设置于各沟渠两侧的基底中，且两个沟渠之间的两个第一掺杂区互不接触。多个第二掺杂区分别设置于这些沟渠下方的基底中。
基本信息
专利标题 ：
非易失存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1953183A
申请号 ：
CN200510109544.2
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴昭谊
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
包红健
优先权 ：
CN200510109544.2
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L27/115 H01L29/78 H01L21/8239 H01L21/8247 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2020-10-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/105
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20191021
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20191021
2008-12-31 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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