存储器件及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种存储器件及其制造方法。根据本发明实施例的存储器件的制造方法包括在衬底上形成底部叠层结构，底部叠层结构包括至少一层隔离层和至少一层牺牲层；对底部叠层结构和衬底进行刻蚀，形成第一沟道孔；在底部叠层结构上形成牺牲叠层结构；牺牲叠层结构包括交替堆叠的第三牺牲层和第三隔离层；对牺牲叠层结构进行刻蚀，形成第二沟道孔，第二沟道孔与第一沟道孔相连通；在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道柱；以及将至少一层牺牲层和第三牺牲层替换为栅极导体，得到堆叠在衬底上方的第一叠层结构和第二叠层结构。根据本发明实施例的存储器件及其制造方法，简化了器件的结构，简化了制造的工艺，且降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113192962A
申请号 ：
CN202110197926.4
公开（公告）日 ：
2021-07-30
申请日 ：
2021-02-22
授权号 ：
CN113192962B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
郎陆广陈龙邹远祥李斌张伟
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202110197926.4
主分类号 ：
H01L27/11556
IPC分类号 ：
H01L27/11556 H01L27/11524 H01L27/11582 H01L27/1157
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2021-08-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11556
申请日 : 20210222
申请日 : 20210222
2021-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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