OTP存储器及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种OTP存储器，单元结构包括：垂直相交的第一有源区和第二有源区；在第一有源区中形成有EDNMOS，在第二有源区中形成有PMOS；PMOS的沟道区的主体部分由EDNMOS的漂移区组成，EDNMOS的第一多晶硅栅作为控制栅，PMOS的第二多晶硅栅为浮栅；利用EDNMOS的漂移区中形成的热载流子实现对PMOS进行编程。本发明还公开了一种OTP存储器的制造方法。本发明能实现高速写入。
基本信息
专利标题 ：
OTP存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111129017A
申请号 ：
CN201911364749.3
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN111129017B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
刘俊文陈华伦
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201911364749.3
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/112
申请日 : 20191226
申请日 : 20191226
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111129017A.PDF
PDF下载
