存储器装置及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，其中存储器装置包括衬底、第一及第二介电结构、通道结构、源极结构及漏极结构。第一及第二介电结构设置于衬底上，且第一介电结构及第二介电结构沿第一方向彼此间隔开来。通道结构连接第一介电结构与第二介电结构。源极结构及漏极结构位于通道结构的两侧，且分别嵌入至第一介电结构及第二介电结构中，其中源极结构沿第一方向的长度对第一介电结构沿第一方向的长度的比值介于0.3至0.4之间。
基本信息
专利标题 ：
存储器装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447107A
申请号 ：
CN202011251465.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾碧山
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN202011251465.6
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L27/088 H01L21/8234 H01L21/8239
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/08
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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