存储器装置及其制造方法

授权

摘要

本发明提供了一种存储器装置及其制造方法、以及半导体装置，该半导体装置包括：第一存储器单元、位线和第二存储器单元。第一存储器单元具有第一堆叠结构，该第一堆叠结构包括第一加热器电极与第一双向阈值开关装置之间的第一存储器层。位线位于第一存储器单元上。第二存储器单元位于位线上，并且具有第二堆叠结构，该第二堆叠结构包括第二双向阈值开关装置与第二加热器电极之间的第二存储器层。第一堆叠结构和第二堆叠结构相对于位线对称。

基本信息

专利标题：

存储器装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107017276A

申请号：

CN201610890686.5

公开（公告）日：

2017-08-04

申请日：

2016-10-12

授权号：

CN107017276B

授权日：

2022-04-19

发明人：

寺井真之

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

张帆

优先权：

CN201610890686.5

主分类号：

H01L27/24

IPC分类号：

H01L27/24 H01L21/82

法律状态

2022-04-19 ：

授权

2018-11-16 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 27/24
申请日 : 20161012

2017-08-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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