存储器装置及其制造方法
授权
摘要
本发明提出了一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包括基板、多个第一栅极结构、第一介电层、第二介电层、第三介电层及接触插塞。这些第一栅极结构形成于阵列区的基板上。第一介电层形成于第一栅极结构的顶表面及侧壁上。第二介电层形成于第一介电层上且与第一介电层直接接触。第二介电层与第一介电层为相同材料。第三介电层形成于第一栅极结构之间，且定义出暴露出基板的多个接触孔。接触插塞填入上述接触孔中。
基本信息
专利标题 ：
存储器装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110391241A
申请号 ：
CN201810329463.0
公开（公告）日 ：
2019-10-29
申请日 ：
2018-04-13
授权号 ：
CN110391241B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
李书铭欧阳自明詹孟璋
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
王天尧
优先权 ：
CN201810329463.0
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/115
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-11-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20180413
申请日 : 20180413
2019-10-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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