闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法,在所述的闪存存储器版图中,连接图形呈直条形,如此一来,在闪存存储器中,连接部的截面可呈直条形,相比现有技术的连接部,结构较为简单,能够简化工艺,在形成连接部的过程中可以避免出现光刻胶浮胶的问题。进一步的,在所述闪存存储器版图中,两个字线图形之间具有一间隔区域,且所述连接图形对准所述间隔区域,如此一来,在闪存存储器中,每个所述字线组中的两个字线之间具有一间隔开口,且所述间隔开口对准连接部,由此增大了连接部与字线之间的间距,从而增大了工艺窗口,避免出现短路。
基本信息
专利标题 :
闪存存储器版图、闪存存储器及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114334984A
申请号 :
CN202111561800.7
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
沈思杰周海洋向磊
申请人 :
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 :
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
周耀君
优先权 :
CN202111561800.7
主分类号 :
H01L27/11519
IPC分类号 :
H01L27/11519 H01L27/11521 H01L27/11565 H01L27/11568 H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11519
以顶视图布局为特征的
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11519
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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