闪存器件的制造方法

授权

摘要

本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成有栅氧化层、浮栅多晶硅层、隔离层以及控制栅，控制栅的顶端形成有硅氮化物层，硅氮化物层和控制栅的周侧形成有侧墙，侧墙包括硅氧化物层，侧墙之间的浮栅多晶硅层上覆盖有硅氧化物层；通过ICP刻蚀设备对硅氧化物层进行刻蚀，使侧墙之间的浮栅多晶硅层暴露；通过ICP刻蚀设备对侧墙之间的浮栅多晶硅层进行刻蚀，直至侧墙之间的栅氧化层暴露，形成浮栅。本申请通过ICP刻蚀设备对闪存器件的硅氧化物层和浮栅多晶硅层进行刻蚀，降低了闪存器件的制造工艺的复杂度。

基本信息

专利标题：

闪存器件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111129024A

申请号：

CN201911373600.1

公开（公告）日：

2020-05-08

申请日：

2019-12-27

授权号：

CN111129024B

授权日：

2022-06-07

发明人：

欧少敏吴长明冯大贵

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区新洲路30号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

黎伟

优先权：

CN201911373600.1

主分类号：

H01L27/11524

IPC分类号：

H01L27/11524 H01L21/28