制造闪存器件的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种制造闪存器件的方法。根据本发明，未掺杂多晶硅层形成在其中形成由浮置栅极和介电层的半导体衬底上。通过对该未掺杂多晶硅层施加N2等离子体，形成了重掺杂多晶硅层。由于该N2等离子体处理，在介电层和未掺杂多晶硅层之间的界面上形成氮层。在再氧化处理期间，通过减小磷和氧的扩散速度，可以防止介电层的厚度增加。此外，在后续工艺中，重掺杂多晶硅层的磷被扩散到未掺杂多晶硅层中，由此增加了未掺杂多晶硅层的磷的浓度。因此，可以通过增加控制栅的掺杂浓度来提高编程速度，而不用改变耦合率。
基本信息
专利标题 ：
制造闪存器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832148A
申请号 ：
CN200510136242.4
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔世卿
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510136242.4
主分类号 ：
H01L21/8247
IPC分类号 ：
H01L21/8247 H01L27/115 H01L29/788
法律状态
2015-02-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598341310
IPC(主分类) : H01L 21/8247
专利号 : ZL2005101362424
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20080402
终止日期 : 20131223
号牌文件序号 : 101598341310
IPC(主分类) : H01L 21/8247
专利号 : ZL2005101362424
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20080402
终止日期 : 20131223
2008-04-02 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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