闪存器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种闪存器件及其制造方法,其中,所述闪存器件的制造方法包括:提供衬底,所述衬底上依次形成有浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层,所述浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层上形成有暴露所述衬底的第一开口;在所述第一开口的侧壁及底部形成第一侧墙;沿所述第一开口向下刻蚀所述第一开口底部的所述第一侧墙和部分所述衬底形成第二开口,使所述第二开口的底部低于所述衬底的表面一设定距离;以及,在所述第二开口的侧壁及底部形成第二侧墙,并在所述第二开口内形成字线。本发明通过刻蚀部分衬底使后续形成的字线的底部低于衬底表面,从而增加所述字线的有效长度,减小了闪存器件的短沟道效应,提高了闪存器件的写入效率。

基本信息
专利标题 :
闪存器件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114551243A
申请号 :
CN202210239389.X
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-03-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
于涛易江红
申请人 :
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 :
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
周耀君
优先权 :
CN202210239389.X
主分类号 :
H01L21/336
IPC分类号 :
H01L21/336  H01L29/788  H01L27/11521  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220311
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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