闪存器件的栅极形成方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了闪存器件的栅极形成方法，所述方法包括在快速热处理(RTP)设备中进行氮退火工艺，以结晶用作控制栅极电极的硅化钨膜，结果减小了所述控制栅极电极的表面电阻(Rs)。进行了短时间的快速热氧化(RTO)工艺，从而缩短了工艺时间，避免了ONO微笑(smiling)。
基本信息
专利标题 ：
闪存器件的栅极形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832115A
申请号 ：
CN200510136243.9
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴恩实
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510136243.9
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2011-03-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101055734116
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005101362439
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20080903
终止日期 : 20100125
号牌文件序号 : 101055734116
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005101362439
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20080903
终止日期 : 20100125
2008-09-03 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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