用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极

专利权的终止

摘要

一种用于在FET器件中形成金属硅化物栅极的工艺，其中硅化物是自形成的(即，不需要单独的金属/硅反应步骤而形成)，且不需要硅材料的CMP或回蚀。第一层硅材料(3)(多晶硅或非晶硅)形成于栅极电介质(2)上；然后在上述第一层(3)上形成一层金属(4)，并在上述金属层(4)上形成第二层硅(5)。随后，实施高温(大于700℃)处理步骤，如源/漏激活退火；该步骤有效地通过金属与第一层内的硅反应在栅极电介质(2)上形成硅化物层(30)。可以实施第二高温处理步骤(如源/漏硅化)，有效地利用第二层(5)的硅形成第二硅化物层(50)。各层的厚度是这样的：在高温处理中，基本上第一层的全部和至少第二层的一部分被硅化物材料取代。因此，可以产生充分硅化的栅极结构。

基本信息

专利标题：

用于CMOS器件的自形成金属硅化物栅极

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101080811A

申请号：

CN200680001430.9

公开（公告）日：

2007-11-28

申请日：

2006-01-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

骆志炯方隼飞朱慧珑

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

优先权：

CN200680001430.9

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/76