自对准金属硅化物工艺
专利权的终止
摘要
本发明是揭露一种自对准金属硅化物(salicide)工艺。首先提供一表面包括至少一硅导电层的衬底。然后对该衬底进行一除水气(degas)步骤，并对该衬底进行一冷却步骤。接着沉积一金属层于该衬底表面，且该金属层与该硅导电层表面相接触。然后进行一热工艺，以使接触该金属层的该硅导电层表面形成一硅化金属层，最后去除未反应的该金属层。
基本信息
专利标题 ：
自对准金属硅化物工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1937177A
申请号 ：
CN200510106939.7
公开（公告）日 ：
2007-03-28
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张毓蓝谢朝景江怡颖陈意维洪宗佑李佳蓉
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510106939.7
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/3205 H01L21/768 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2011-11-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101145518633
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005101069397
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20081105
终止日期 : 20100922
号牌文件序号 : 101145518633
IPC(主分类) : H01L 21/283
专利号 : ZL2005101069397
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20081105
终止日期 : 20100922
2008-11-05 ：
授权
2007-05-23 ：
实质审查的生效
2007-03-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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