金属硅化物纳米线及其制作方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种金属硅化物纳米线，具有的线宽最小为7纳米。该金属硅化物纳米线的制作方法，包括在单晶硅衬底上生长一层绝缘膜，利用纳米尺度的加工技术刻蚀出用于制作金属硅化物纳米线的沟槽，采用金属溅射和蒸镀方法，在制作有纳米沟槽的硅衬底2上，沉积金属膜层4，进行高温退火使金属与沟槽底部暴露的单晶硅反应，生成金属硅化物，再采用化学腐蚀方法，腐蚀掉表面未反应的金属，在纳米沟槽内制作出分立的金属硅化物纳米线。本发明的金属硅化物纳米线具有位置、形状和线宽可控的特点，所以制备的金属硅化物纳米线可以应用于集成电路作为金属互连线，源漏和栅电极，完全可以根据实际需要进行制作。

基本信息

专利标题：

金属硅化物纳米线及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979828A

申请号：

CN200510127904.1

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

顾长志岳双林罗强金爱子

申请人：

中国科学院物理研究所

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村南三街8号

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司

代理人：

高存秀

优先权：

CN200510127904.1

主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/48 H01L23/52 H01L21/28 H01L21/768