导电膜的制造方法、导电膜和金属纳米线墨
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摘要
本发明的课题是提供面内的表面电阻值波动小的导电膜，其抑制了金属纳米线的使用量，表面电阻值在1000～10000Ω/□的范围。还提供生产率优异的导电膜的合适制造方法和用于该制造方法的金属纳米线墨。解决手段是一种导电膜，导电层的表面电阻值为1000～10000Ω/□，并且面内的表面电阻值波动为35％以下，所述导电膜由以下制造方法得到，所述制造方法包括在高分子膜的至少一面涂布金属纳米线墨并使其干燥的工序，金属纳米线墨包含金属纳米线(A)、粘合剂树脂(B)和溶剂(C)，金属纳米线(A)的平均直径为1～100nm，长轴长度的平均值为1～100μm，并且长宽比的平均值为100～2000，粘合剂树脂(B)包含乙基纤维素和羟丙基纤维素中的至少一者，溶剂(C)包含二乙二醇单乙醚，金属纳米线(A)的含有率为0.005～0.05质量％。
基本信息
专利标题 ：
导电膜的制造方法、导电膜和金属纳米线墨
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110720129A
申请号 ：
CN201880038335.9
公开（公告）日 ：
2020-01-21
申请日 ：
2018-07-30
授权号 ：
CN110720129B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
山木繁
申请人 ：
昭和电工株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
王潇悦
优先权 ：
CN201880038335.9
主分类号 ：
H01B13/00
IPC分类号 ：
H01B13/00 B05D5/12 B05D7/04 B05D7/24 B32B7/023 B32B27/18 H01B1/00 H01B1/22 H01B5/14 H05K1/09
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B13/00
制造导体或电缆制造的专用设备或方法
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-02-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 13/00
申请日 : 20180730
申请日 : 20180730
2020-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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