金属层、导电性薄膜及金属层的制造方法
公开
摘要
本发明提供金属层、导电性薄膜及金属层的制造方法。金属层(1)中，X射线衍射的峰强度的比率处于规定范围。
基本信息
专利标题 ：
金属层、导电性薄膜及金属层的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360771A
申请号 ：
CN202111196230.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山本拳也竹安智宏
申请人 ：
日东电工株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111196230.6
主分类号 ：
H01B5/14
IPC分类号 ：
H01B5/14 H01B13/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B5/00
按形状区分的非绝缘导体或导电物体
H01B5/14
在绝缘支承物上有导电层或导电薄膜的
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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